特征特性
桿狀，0.8×2μm, 無孢子，未端扁平；非振蕩培養(yǎng)時趨于形成可彎曲的長絲狀，在絲狀中端部與端部連接排列，加強振蕩和攪拌可形成較小的片段。革蘭氏陰性。生長最適溫度35～400C，最適pH7.1～7.4,以半胱氨酸和Na2S作為硫源。D-環(huán)絲氨酸使生長完全抑制，氫、甲酸鹽、青霉素（0.1mg/l）對菌株生長和甲烷形成無明顯副作用。G+C含量61%。子，未端扁平；非振蕩培養(yǎng)時趨于形成可彎曲的長絲狀，在絲狀中端部與端部連接排列，加強振蕩和攪拌可形成較小的片段。革蘭氏陰性。生長最適溫度35～400C，最適pH7.1～7.4,以半胱氨酸和Na2S作為硫源。D-環(huán)絲氨酸使生長完全抑制，氫、甲酸鹽、青霉素（0.1mg/l）對菌株生長和甲烷形成無明顯副作用。G+C含量61%。
